Наукова періодика України - НБУВ Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Простий
пошук

Розширений
пошук

Покажчики

Професійний
пошук

Рубрикатор
НБУВ

Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Наукова періодика України

Тематичний навігатор

Авторитетний файл імен осіб

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Повнотекстовий пошук

Знайдено в інших БД:

Реферативна база даних (12)

Список видань за алфавітом назв:

A B C D E F G H I J L M N O P R S T U V W

А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Авторський покажчик Покажчик назв публікацій

Пошуковий запит: (<.>A=Semikina T$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 10 Представлено документи з 1 до 10
1.	Semikina T. V. ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu1. 8S heterostructure [Електронний ресурс] / T. V. Semikina, S. V. Mamykin, M. Godlewski, G. Luka, R. Pietruszka, K. Kopalko, T. A. Krajewski, S. Gieraltowska, L. Wachnicki, L. N. Shmyryeva // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 2. - С. 111-116. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_2_4 ZnO films with high conductivity are obtained by atomic layer deposition for application in solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu1,8S heterostructure. The parameters of solar cells with ZnO electrode are calculated from light and dark current-voltage characteristics and compared with those obtained for structures with Mo contact. The advantages of ZnO electrode are discussed. Попередній перегляд: Завантажити - 1.464 Mb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
2.	Bobrenko Yu. N. Thin-film solar converters based on the p-Cu1. 8S/n-CdTe surface-barrier structure [Електронний ресурс] / Yu. N. Bobrenko, S. Yu. Pavelets, T. V. Semikina, O. A. Stadnyk, G. I. Sheremetova, M. V. Yaroshenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 1. - С. 101-105. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_1_20 A surface-barrier structure with the transparent p-Cu1,8S component was used to make thin-film polycrystalline n-CdTe-based solar converters. Cadmium telluride was grown on CdSe substrates using the quasi-closed volume technique through a graded-gap CdSexTe1-x interlayer. A multilayer p-Cu1,8S/n-CdTe/n-CdSe/Mo structure was prepared. It makes it possible to increase the degree of structural perfection of thin photosensitive n-CdTe layers without application of additional high-temperature treatments, as well as to obtain an ohmic back contact without some additional doping of CdTe. The quantum efficiency spectra and critical parameters of solar converters have been presented. The prospects for application of polycrystalline n-CdTe in solar power engineering have been discussed. Попередній перегляд: Завантажити - 517.064 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
3.	Pavelets S. Yu. ZnTe-based UV sensors [Електронний ресурс] / S. Yu. Pavelets, Yu. N. Bobrenko, T. V. Semikina, G. I. Sheremetova, В. S. Atdaiev, K. B. Krulikovska, M. A. Mazin // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 2. - С. 197-200. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_2_13 A p-ZnTe/n-CdSe heterojunction was used for making polycrystalline ZnTe-based UV sensors. The heteropair components have the same crystal structure and close lattice parameters. ZnTe and CdSe were grown using thermal evaporation and quasiclosed space condensation. A transparent current collecting electrode for the surface-barrier structure of p-ZnTe/n-CdSe heterojunction was made of degenerate p-Cu_1,8S. Surface relief of ZnTe grown on different substrates was studied with scanning atomic force microscopy. The energy band offset diagrams of heterojunction are built and photosensitivity spectra are presented. Попередній перегляд: Завантажити - 370.812 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
4.	Venger E. F. Surface polariton excitation in ZnO films deposited using ALD [Електронний ресурс] / E. F. Venger, L. Yu. Melnichuk, A. V. Melnichuk, T. V. Semikina // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 4. - С. 422-427. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_4_10 The conductive ZnO films deposited using atomic layer deposition (ALD) on the optical glass substrates were studied using the modified method of the disturbed total internal reflection within the range 400 - 1400 cm<^>- for the first time. The frequency "windows" with the obtained excited surface phonon and plasmon-phonon polaritons have been found in the measured infrared reflectance spectra. The dispersion response of high and low frequency branches of the IR spectra have been presented. Попередній перегляд: Завантажити - 428.149 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
5.	Semikina T. V. ZnO thin films obtained by atomic layer deposition as a material for photovoltaics [Електронний ресурс] / T. V. Semikina, S. V. Mamykin, G. I. Sheremet, L. N. Shmyreva // Ukrainian journal of physics. - 2016. - Vol. 61, № 8. - С. 732-740. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2016_61_8_12 Наведено огляд завдань, що вирішуються під час розробки сонячних елементів. Аналіз технологічних методів одержання тонких провідних прозорих плівок оксиду цинку ZnO з точки зору застосування в органічних і тонкоплівкових сонячних елементах показує переваги технології атомного пошарового осадження (АПО). Показано, що метод АПО забезпечує низькотемпературний (100 - 200 °C) ріст плівок, які мають необхідні значення опору ~10^-3Ом ·см і пропускання світла ~85 - 90 %. Використання ZnO плівок в органічних фотовольтаїчних структурах показало покращання стабільності у часі випрямних характеристик таких структур. Дослідження органічних структур з ZnO як катода і анода показало перспективність використання ZnO в ролі катода. Вивчення ZnO в ролі прозорого провідного електрода в неорганічній фотовольтаїчній структурі на основі CdTe показало збільшення фотоструму і зменшення рекомбінації у порівнянні з молібденовим електродом. Попередній перегляд: Завантажити - 734.44 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
6.	Semikina T. V. ZnO thin films obtained by atomic layer deposition as a material for photovoltaics [Електронний ресурс] / T. V. Semikina, S. V. Mamykin, G. I. Sheremet, L. N. Shmyreva // Український фізичний журнал. - 2016. - Т. 61, № 8. - С. 737-745. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2016_61_8_12 Наведено огляд завдань, що вирішуються під час розробки сонячних елементів. Аналіз технологічних методів одержання тонких провідних прозорих плівок оксиду цинку ZnO з точки зору застосування в органічних і тонкоплівкових сонячних елементах показує переваги технології атомного пошарового осадження (АПО). Показано, що метод АПО забезпечує низькотемпературний (100 - 200 °C) ріст плівок, які мають необхідні значення опору ~10^-3Ом ·см і пропускання світла ~85 - 90 %. Використання ZnO плівок в органічних фотовольтаїчних структурах показало покращання стабільності у часі випрямних характеристик таких структур. Дослідження органічних структур з ZnO як катода і анода показало перспективність використання ZnO в ролі катода. Вивчення ZnO в ролі прозорого провідного електрода в неорганічній фотовольтаїчній структурі на основі CdTe показало збільшення фотоструму і зменшення рекомбінації у порівнянні з молібденовим електродом. Попередній перегляд: Завантажити - 734.991 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
7.	Pavelets S. Yu. Effective polycrystalline sensor of ultraviolet radiation [Електронний ресурс] / S. Yu. Pavelets, Yu. N. Bobrenko, T. V. Semikina, K. B. Krulikovska, G. I. Sheremetova, В. S. Atdaev, M. V. Yaroshenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 3. - С. 335-339. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_3_11 Deposition of special thin layers with high and low resistance in space charge region of surface barrier photoconverters based on the p-Cu1,8S/-CdS structure leads to a sufficient increase in photosensitivity and decrease in dark tunneling-recombination current. Highly efficient and stable polycrystalline photoconverters of ultraviolet radiation based on polycrystalline CdS have been obtained. Electrical and photoelectric properties have been investigated, and the main operational parameters of ultraviolet sensors have been adduced. The reasons for high stability of the parameters inherent to the p-Cu1,8S/-CdS sensors are as follows: the absence of impurity components additionally doped to the barrier structure and stability of the photocurrent photoemission component. Попередній перегляд: Завантажити - 237.789 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
8.	Semikina T. V. Fabrication of CdS/CdTe solar cells by quasiclosed space technology and research of their properties [Електронний ресурс] / T. V. Semikina // Ukrainian journal of physics. - 2018. - Vol. 63, № 2. - С. 156-167. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2018_63_2_12 Розроблено технологію квазізамкненого простору для осадження шарів CdS та CdTe з подальшим виготовленням сонячних елементів (СЕ). Досліджено та проаналізовано технологічні чинники, від яких залежить структура кристалічної гратки, ширина оптичної забороненої зони та провідність CdS та CdTe. Запропоновано технологію виготовлення омічного контакту до p-CdTe на основі виродженого напівпровідника CuxS. Проаналізовано характеристики СЕ, виготовлених на підкладках з різними провідними плівками (Mo, ZnO, ZnO : Al). Результати обробки світлових та темнових вольт-амперних характеристик показують перевагу ZnO та ZnO : Al плівок, одержаних за допомогою методу атомного пошарового осадження, для застосування в СЕ. Визначено товщини шарів CdS (d = 67 нм), CdTe (~1 мкм) та CuxS (30 нм), за яких було одержано кращу ефективність (<$Eeta~=~1,75~-~1,89~%>) та показано, що використання тонких плівок в структурі СЕ покращує їх характеристики. Попередній перегляд: Завантажити - 740.872 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
9.	Pavelets S. Yu. Ultraviolet sensors based on ZnxCd1 – xS solid solutions [Електронний ресурс] / S. Yu. Pavelets, Yu. N. Bobrenko, T. V. Semikina, B. S. Atdaev, G. I. Sheremetova, M. V. Yaroshenko // Ukrainian journal of physics. - 2019. - Vol. 64, № 4. - С. 308-314. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2019_64_4_9 Попередній перегляд: Завантажити - 688.474 Kb Зміст випуску Цитування
10.	Venger E. F. IR Spectroscopic Study of Thin ZnO Films Grown Using the Atomic Layer Deposition Method [Електронний ресурс] / E. F. Venger, L. Yu. Melnichuk, A. V. Melnichuk, T. V. Semikina // Ukrainian journal of physics. - 2016. - Vol. 61, № 12. - С. 1053-1060. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2016_61_12_5 Попередній перегляд: Завантажити - 902.011 Kb Зміст випуску Цитування

Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів

Пам`ятка користувача

Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського